“HBM” กับ “DRAM ธรรมดา” ทำไม $MU จึงวิ่งไม่หยุด
เรื่องเล่าของ “HBM” กับ “DRAM ธรรมดา” สรุปจากบทความ https://x.com/i/status/2013011641978232992 ลองนึกภาพว่า DDR5 คือโรงงานผลิตข้าวสาร ส่วน HBM คือโรงงานเดียวกัน แต่ต้องเอาข้าวสารไปเรียงซ้อนเป็นตึกสูง ๆ แล้วต่อสายไฟนับพันเส้นให้ใช้งานพร้อมกัน วัตถุดิบเหมือนกันแต่ ความยาก ความเสี่ยง และต้นทุน ต่างกันคนละโลก 1. จุดตั้งต้นเหมือนกัน แต่ปลายทางไม่เหมือน ทั้ง HBM และ DDR DRAM ใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำพื้นฐานเดียวกัน ใช้เครื่องจักรหน้าโรงงาน (wafer fab) คล้ายกัน 👉 แต่ HBM ต้องเพิ่มขั้นตอนพิเศษจำนวนมาก 2. ทำไม HBM ถึง “แพงกว่า ยากกว่า และผลิตได้น้อยกว่า” 2.1 ชิปใหญ่กว่า → ใช้ซิลิคอนมากกว่า HBM ใช้พื้นที่ชิป ใหญ่กว่า DDR5 ประมาณ 35–45% แปลว่า ต่อหนึ่งแผ่นเวเฟอร์ ผลิต “บิต” ได้น้อยลงทันที 2.2 ต้องเจาะรูทะลุชิป (TSV) HBM ต้องเจาะรูทะลุชิป เพื่อเชื่อมชิปหลายชั้นเข้าด้วยกัน ขั้นตอนนี้เพิ่ม: เครื่องจักรเฉพาะ วัสดุเฉพาะ ความเสี่ยงด้าน Yield (ของเสีย) 👉 DDR ธรรมดา ไม่ต้องทำขั้นตอนนี้เลย 2.3 ต้องทำชิปให้บางมาก ชิป HBM บางแค่ 30–50 ไมครอน ต้อง: ติดชิปกับแผ่นรองชั่วคราว เจียรด้านหลัง ทำบัมพ์สอ...
